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AON5802B中文资料

  • 大小:270KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:19 毫欧 @ 7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1150pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-WFDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:6-DFN(2x5)
  • 包装:带卷 (TR)

AON5802B供应商

更新时间:2023-01-04 04:14:40
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